收藏本站
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7S21210HR3 MRF7S21210HSR3
Zo
=5?
Zload
Zsource
f = 2220 MHz
f = 2060 MHz
f = 2060 MHz
f = 2220 MHz
VDD
=28Vdc,IDQ
= 1400 mA, Pout
=63WAvg.
f
MHz
Zsource
?
Zload
?
2060
4.34 -- j1.26
1.52 -- j1.46
2080
4.34 -- j1.20
1.47 -- j1.35
2100
4.34 -- j1.14
1.42 -- j1.23
2120
4.33 -- j1.09
1.37 -- j1.11
2140
4.34 -- j1.05
1.32 -- j0.99
2160
4.33 -- j0.96
1.27 -- j0.87
2180
4.33 -- j0.92
1.23 -- j0.75
2200
4.33 -- j0.92
1.19 -- j0.64
2220
4.32 -- j0.87
1.15 -- j0.52
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured from
drain to ground.
Figure 13. Series Equivalent Source and Load Impedance
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
MRF7S27130HSR5 MOSFET RF N-CH 23W NI-780S
MRF7S35015HSR5 MOSFET RF N-CH 15W NI-400S-240
MRF7S35120HSR5 MOSFET RF N-CH 120W NI-780S
MRF7S38010HSR5 MOSFET RF N-CH 2W 30V NI-400S
MRF7S38040HSR5 MOSFET RF N-CH 8W 30V NI-400S
MRF7S38075HSR5 MOSFET RF N-CH 12W 30V NI-780S
MRF8P18265HSR6 FET RF N-CH 1840MHZ 30V NI1230S8
MRF8P20100HSR3 FET RF N-CH 2025MHZ 28V NI780H-4
相关代理商/技术参数
MRF7S27130HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.7GHZ 130W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S27130HR3_08 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF7S27130HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.7GHZ 130W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S27130HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.7GHZ 130W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S27130HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.7GHZ 130W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S35015HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 PULSED 15W NI400S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S35015HSR3_11 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET
MRF7S35015HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 PULSED 15W NI400S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray